Insegnamento CIRCUITI ELETTRONICI
| Nome del corso di laurea | Ingegneria informatica ed elettronica |
|---|---|
| Codice insegnamento | A003145 |
| Curriculum | Ingegneria elettronica |
| Docente responsabile | Luca Roselli |
| Docenti |
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| Ore |
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| CFU | 9 |
| Regolamento | Coorte 2023 |
| Erogato | Erogato nel 2025/26 |
| Attività | Caratterizzante |
| Ambito | Ingegneria elettronica |
| Settore | ING-INF/01 |
| Anno | 3 |
| Periodo | Secondo Semestre |
| Tipo insegnamento | Obbligatorio (Required) |
| Tipo attività | Attività formativa monodisciplinare |
| Lingua insegnamento | ITALIANO |
| Contenuti | Descrizione del cambio di paradigma imposto nella progettazione elettronica dall'evoluzione dell'ICT verso l'IoT. Cenni delle principali aree evolutive tipiche dell'IoTe delle relative tecnologie abilitanti (RFID, Wireless Power Transfer, Energy Harvesting, nuovi materiali). Il CAD per la progettazione dei circuiti elettronici. I principali circuiti elettronici basati su Diodi e Transistori. Modellistica a piccoli e grandi segnali. Utilizzo dei relativi modelli. Tecniche di polarizzazione di diodi e transistori. Principali topologie di amplificatori a singolo e a doppio stadio |
| Testi di riferimento | Jaeger Blalock, "microelettronica", Mc Graw Hill Education |
| Obiettivi formativi | Dare allo studente le basi della progettazione di circuiti contenenti dispositivi elettronici attraverso il trasferimento delle tecniche fondamentali di analisi e sintesi circuitale mediante l'utilizzo di CAD dedicato di uso commerciale ed esercizi su casi verosimili ispirati a quanto richiesto da circuiti elettronici presenti nei sistemi e sottosistemi compatibili con applicazioni IoT. |
| Prerequisiti | Teoria dei circuiti, Tecnologie e dispositivi elettronici. |
| Metodi didattici | Inizialmente verrà dedicato ampio spazio a descrivere il cambio di paradigma introdotto nella progettazione di circuiti elettronici dalla nuova evoluzione dell'ICT verso l'IoT. Successivamente la progettazione dei circuiti elettronici di base verrà insegnata con approccio "top down" partendo dall'obiettivo, dalle specifiche dell'oggetto richiesto e dalla selezione motivata delle ipotesi realizzative. In tal modo si addiverrà alla sintesi dei circuiti elettronici di base che verrà affrontata, fin da subito, con l'utilizzo estensivo del CAD. In poche parole si partirà da un'ipotesi circuitale, dalla implementazione al CAD della topologia ipotizzata, per poi passare a una analisi delle dipendenze del comportamento dai vari parametri, a una comprensione delle relazioni tra variazione dei vari parametri e comportamento finale del circuito, per poi concludere con l'ottimizzazione del circuito stesso. In questa maniera si intende percorrere in fase didattica lo stesso percorso che l'ingegnere percorre quando è chiamato a risolvere i problemi a lui commissionati, e in tal modo fornire allo studente, non solo le conoscenze sulle tecniche di progettazione dei circuiti di base, ma anche le metodologie di progetto classiche della moderna progettazione elettronica. |
| Altre informazioni | niente da segnalare |
| Modalità di verifica dell'apprendimento | La verifica consta di due parti. Parte 1 un progetto di circuito elettronico realistico, le specifiche del quale verranno assegnate allo studente la mattina dell'appello. Allo studente verranno date almeno 24 ore per completare il progetto e relazionare sullo stesso al docente durante un colloquio della durata di mezzora (parte 2) nel quale lo studente dovrà dimostrare la sua capacità di sostenere una conversazione sul progetto svolto e sulle tematiche affrontate durante il corso a partire dagli stimoli forniti dal docente durante l'esposizione del progetto. |
| Programma esteso | Presentazione del’insegnamento, Introduzione: • L’ obiettivo • Il metodo • La struttura dell’insegnamento • Gli strumenti di lavoro L’evoluzione verso l’IoT: • Lo scenario evolutivo dell’ICT • Le implicazioni tecnologiche dell’IoT • L’elettronica verde • Le architetture IoT di oggi e domani Le tecnologie abilitanti: • L’”Energy Harvesting” • “Wireless Power Transfer” • Le principali architetture • L”RFID • L’architettura dei sistemi RFID • Le analogie tecnologiche tra EH, WPT e RFID • I nuovi materiali Descrizione del CAD ADS: • Lo spazio di lavoro • Come accedere • Componenti in libreria e in “palette” • La simulazione DC • La simulazione AC • Valutazione delle risposte in frequenza • La simulazione Transient • Modellistica del diodo a giunzione • Estrazione della caratteristica statica del diodo La selezione del dispositivo: • Comportamento del diodo a regime e nel transitorio • Lettura di un manuale • Analisi dettagliata dei vari parametri • Lettura di un manuale • Interpretazione dei grafici riportati • Circuito rivelatore di picco • Considerazioni operative I principali circuiti con il diodo: • Circuito raddrizzatore • “Charge pump” • Ponte di Graetz • Duplicatore di frequenza • Analisi in frequenza mediante FFT • Limitatori di segnale • Retta di carico • Punto di riposo • Attenuatore variabile a controllo elettronico • Bias T Intro. modello a piccoli segnali: • Modello a p.s., significato • Simulazioni a piccoli e grandi segnali in relazione al CAD • Significato delle notazioni • Definizione grandezze differenziali • Esempio utilizzando il diodo Cenni di termodinamica: • Resistenza termica • Calore specifico • Capacità termica • Implicazioni progettuali BJT: • Analisi del manuale del 2N2222 • Caratteristche statiche di collettore • Transcaratteristiche statiche • Valutazioni comparate sul comportamento statico del BJT • Amplificazione in corrente Polarizzazione del BJT: • Rete di polarizzazione fissa • Problema di sintesi • Stabilità del punto di lavoro • Rete di polarizzazione a 4R • Modelli lineari a tratti per le tre regioni di funzionamento • Conseguenze circuitali dell’effetto Early • Aspetti capacitivi Circ. eq. a piccoli segnali del BJT: • Rappresentazione a matrice Y • Derivazione dei principali parametri Significato grafico dei parametri Y • Capacità di by-pass • Induttanze di blocco RF • “Bias T” per il BJT Principali stadi amplificatori: • Emettitore comune • Collettore comune • Base comune Comportamento in alta frequenza dei transistor: • Limiti del modello a piccoli segnali alle alte frequenze • Circuito equivalente di Giacoletto • Teorema di Miller • Considerazioni critiche MOSFET: • Richiami di funzionamento • Caratteristiche statiche • Modello a piccolo segnale • Transistore a canale P • Connessione a “diodo” • Curva di carico Circuiti a MOSFET: • Resistore attivo • Carico attivo • Specchio di corrente Amplificatori accoppiati in DC: • Amplificatore differenziale • Configurazione Cascode • Configurazione Darlington Simulazione di verifica profitto Interpretazione dei manuali: • Lettura di un manuale di un modulo amplificatore di potenza Parametri fondamentali: P1dB, OIP3, Gain, Psat. |
| Obiettivi Agenda 2030 per lo sviluppo sostenibile |